SIDC23D60E6
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | SIDC23D60E6 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 50A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
Supplier Device-Gehäuse | Sawn on foil |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Diodentyp | Standard |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 27µA @ 600V |
Strom - Richt (Io) | 50A (DC) |
Kapazität @ Vr, F | - |
SIDC23D60E6 Einzelheiten PDF [English] | SIDC23D60E6 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
DIODE GP 600V 50A WAFER
DIODE GP 600V 100A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
DIODE SIL CARB 600V 5A WAFER
DIODE SIL CARB 600V 6A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
DIODE GP 600V 50A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 100A DIE
DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
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DIODE SIL CARB 300V 10A WAFER
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIDC23D60E6Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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